مقایسه تخصصی آی جی بی تی (IGBT) و ماسفت (Mosfet)
ماسفت یا ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمه‌رسانای اکسید-فلز
metal–oxide semiconductor field effect transistor ٫ MOSFET
معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است.
این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال 1926میلادی به بازار عرضه شد. در آن هنگام، ساخت و به‌کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند. در آغازِ دههٔ ۷۰، بارِ دیگر نگاه‌ها به ماس‌فِت‌ها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.
آی جی بی تی: ترانزیستور دوقطبی با درگاه عایق‌شده
IGBT - Insulated gate bipolar transistor
جز نیمه هادی قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده می شود.
این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله خودروهای برقی، قطار، یخچال ها، تردمیل، دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده ها استفاده می شود. همچنین در ساخت انواع اینورترها،ترانسهای جوش و UPS کاربرد دارد.
در فرکانسهای بالای کلیدزنی، از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده میشود. با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی کند و نویز شدیدی را با توان بالا تولید میکند. به همین سبب در فرکانس کلیدزنی بالا از المان کم مصرف power MOSFET استفاده میشود. اما با بالا رفتن قدرت، تلفات آن نیز زیاد میشود.
المان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای دو قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد، این قطعه جدید IGBT نام دارد. در طی سالهای اخیر بدلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.
IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده) یک نیمه هادی جدید و کاملاً صنعتی است که از ترکیب دو نوع ترانزیستور BJT و MOSFET ساخته شده است. بطوریکه از دید ورودی شما یک MOSFET را می بینید و از نظر خروجی یک BJT. BJTها و MOSFETها دارای خصوصیاتی هستند که از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل میکنند.
ترانزیستور آی جی بی تی به صورت ردیفی در کنار هم در برد دستگاه قرار می گیرند، به همین دلیل وقتی برد آسیب می بیند باید تعداد زیادی از این ترانزیستورها تعویض شوند. از این رو هزینه تعمیر این گونه اینورترها با ترانزیستورهای آی جی بی تی بسیار بالاتر از اینورترهای با ترانزیستورهای ماسفت است.